英特磊董事長高永中。（英特磊提供）
IET-KY（4971，英特磊）25日召開股東會，擬不配發股利。董事長高永中表示，公司去年營收成長主要來自磷化銦（InP）磊晶產品於年底需求放量，帶動整體業績上揚。今年度1Q營收磷化銦磊晶產品佔比亦超過五成，其中的PIN （即PD）應用於資料中心的100G光模組接收端，受惠於AI運算需求成長，磷化銦磊晶產品預期會是公司未來數年的主力項目。
公司表示，113年度EPS虧損係因公司發行可轉換公司債，隨之前股價上升認列有評價損失約EPS -1.2元，其餘部分係因產品營收未追上設備、人力投入時程，震盪期過後當有明顯改善。公司114年度1Q營收年增逾四成，營運成長動能無虞，可轉換公司債也於4月完成股票轉換，後續財報影響甚微。
而投資人關注的新廠二期擴建時程，公司回覆2Q正進行細項藍圖設計和相關營造許可的審核，預計7月動工，26年度完工，機台產能於未來數年陸續啟動。相關資本支出有部分來自美國聯邦晶片法案及德州晶片法案補助，目前已獲德州補助額度412萬美元，將隨建廠進度每季請款，聯邦補助案則尚待主管機關查核。
展望2025年，英特磊將以磷化銦磊晶產品作為成長主軸，除了資料中心PD，可應用於光模組之驅動電路的HBT，以及特定情形下的光模組接收端的APD等產品也隨運算需求有成長。砷化鎵（GaAs）pHEMT產品的主要客戶為歐美日大廠，目前需求穩定。
因應AI資料中心需求成長，產品線研發重心100G以上的高速VCSEL，期望在AI互連線路的AOC （active optical cable，主動式光纜）市場佔得一席之地。
銻化鎵（GaSb）紅外磊晶晶片因美國與國際國防需求擴大，目前產能已近滿載，計畫於今年下半年或明年增設新機台，預計可增加三成產能。
硬體構件方面，因氮化鎵（GaN）二次長晶需求提升，公司將進一步擴展與台灣客戶的合作模式；氮化鎵長晶業務亦持續成長，規劃於未來提供台灣在地製程，提升營運彈性。
2025-07-01